محصولات

خونه > محصولات > ماژول های IGBT 62mm > ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025

دسته بندی ها

IGBT Discrete

(2)

تماس ها

تماس ها: Mr. Zhou

تلفن: 86-1360-528-8329

حالا تماس بگیرید

به ما ایمیل بزنید

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025

Name: ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025
Brand: Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
SKU: SPS300B12G6M4
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

جزئیات محصول

شماره مدل: SPS300B12G6M4

شرایط پرداخت و حمل و نقل

بهترین قیمت رو بدست بیار

جزئیات محصول

توضیحات محصول

برجسته کردن: 
                                                ماژول قدرت IGBT OEM,ماژول قدرت IGBT 1200V,ماژول نیمه پل 1200 ولت, IGBT Power Module 1200V, 1200V Half Bridge Module
                              

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025

قدرت جامد-DS-SPS300B12G6M4-S04020025

۱۲۰۰ ولت 300A IGBT نصف پل ماژول

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025 0

ویژگی ها:

□ تکنولوژی 1200 ولت Trench+ Field Stop

□ دیود های چرخ آزاد با بازیابی سریع و نرم

□ V_{CE ((sat)}با ضریب دمای مثبت

□ از دست دادن کم برای تغییر

نمادین کاربردها:

□ گرمایش محرک

□ جوش دادن

□ استفاده از سوئیچ فرکانس بالا

بسته بندی

ماده	نماد	شرایط		ارزش ها			واحد
ولتاژ آزمون عایق بندی	VISOL	RMS، f = 50 هرتز، t = 1 دقیقه		4.0			kV
مواد پایه ماژول				ک
جداسازی داخلی		(کلاس 1، IEC 61140) عایق بندی پایه (طبقه 1، IEC 61140)		ال₂اوه₃
فاصله حرکت	بجنب	ترمینال به سینک		29.0			mm
	بجنب	ترمینال به ترمینال		23.0
مجوز	dآرام	ترمینال به سینک		23.0			mm
	dآرام	ترمینال به ترمینال		11.0
شاخص ردیابی مقایسه ای	CTI			>400

ماده	نماد	شرایط		ارزش ها			واحد
				دقیقه ای	-آره.	مکس
ماژول استندنت راه افتاده	LsCE				20		nH
مقاومت سرب ماژول، ترمینال ها - تراشه	RCC+EE		T_C=25°C		0.70		mΩ
دمای ذخیره سازی	Tstg			-40		125	°C
چرخش نصب برای نصب ماژول	M6			3.0		6.0	Nm
تورم اتصال ترمینال	M6			2.5		5.0	Nm
وزن	G				320		g

IGBT

حداکثر رتبه بندی شده ارزش ها

ماده	نماد	شرایط		ارزش ها	واحد
ولتاژ کلکتور - فرستنده	VCES		T_vj=25°C	1200	V
حداکثر ولتاژ فرستنده دروازه	VGES			±20	V
ولتاژ گذرا دروازه فرستنده	VGES	t_p≤10μs، D=0.01		±30	V
جریان مداوم کلکتور DC	من_C		T_C=25°C	400	A
جریان مداوم کلکتور DC	من_C		T_C=100°C	300	A
جریان پالس گیرنده،tp محدود به T_jmax	ICpulse			600	A
از بین رفتن قدرت	Ptot			1500	W

ویژگی ارزش ها

ماده	نماد	شرایط		ارزش ها			واحد
ماده	نماد	شرایط		دقیقه ای	-آره.	مکس	واحد
ولتاژ اشباع کلکتور-امتر	VCE ((sat)	من_C=300A، V_{ژنراتورهای عمومی}=15 ولت	T_vj=25°C		1.50	1.80	V
			T_vj=125°C		1.65
			T_vj=150°C		1.70
ولتاژ آستانه دروازه	VGE ((th)	V_CE=V_{ژنراتورهای عمومی}، من_C=12mA		5.0	5.8	6.5	V
جریان قطع کننده کلکتور-امتر	ICES	V_CE=1200V، V_{ژنراتورهای عمومی}=0V	T_vj=25°C			100	μA
جریان قطع کننده کلکتور-امتر	ICES	V_CE=1200V، V_{ژنراتورهای عمومی}=0V	T_vj=150°C			5	mA
جریان نشت دروازه ایمیتر	IGES	V_CE=0V,V_{ژنراتورهای عمومی}=±20 ولت، T_vj=25°C		-200		200	nA
هزینه دروازه	ق_G	V_CE=600V، I_C=300A، V_{ژنراتورهای عمومی}=±15 ولت			3.2		μC
ظرفیت ورودی	..	V_CE=25V، V_{ژنراتورهای عمومی}=0V، f =100kHz			60.0		nF
ظرفیت خروجی	کوس				1.89
ظرفیت انتقال معکوس	کریس				0.54
مقاومت دروازه داخلی	RGint	T_vj=25°C			1.2		Ω
زمان تاخیر روشن شدن، بار تحرک	td ((on))	V_CC=600V،I_C=300A R_G=1.8Ω، V_{ژنراتورهای عمومی}=±15 ولت	T_vj=25°C		130		ns
			T_vj=125°C		145		ns
			T_vj=150°C		145		ns
زمان بالا رفتن، بار تحرک	t_r		T_vj=25°C		60		ns
			T_vj=125°C		68		ns
			T_vj=150°C		68		ns
زمان تاخیر خاموش شدن، بار محرک	td ((off)	V_CC=600V،I_C=300A R_G=1.8Ω، V_{ژنراتورهای عمومی}=±15 ولت	T_vj=25°C		504		ns
			T_vj=125°C		544		ns
			T_vj=150°C		544		ns
زمان سقوط، بار محرک	t_f		T_vj=25°C		244		ns
			T_vj=125°C		365		ns
			T_vj=150°C		370		ns
از دست دادن انرژی روشن شدن در هر پالس	ايون	V_CC=600V،I_C=300A R_G=1.8Ω، V_{ژنراتورهای عمومی}=±15 ولت	T_vj=25°C		7.4		mJ
			T_vj=125°C		11.1		mJ
			T_vj=150°C		11.6		mJ
خاموش کردن از دست دادن انرژي در هر نبض	ايف		T_vj=25°C		32.0		mJ
			T_vj=125°C		39.5		mJ
			T_vj=150°C		41.2		mJ
داده های SC	ISC	V_{ژنراتورهای عمومی}≤15V، V_CC=600 ولت	tp≤10μs T_vj=150°C			1350	A
مقاومت حرارتی IGBT، قاب اتصال	RthJC					0.1	K / W
دمای کار	TJop			-40		150	°C

دیود

حداکثر رتبه بندی شده ارزش ها

ماده	نماد	شرایط		ارزش ها	واحد
ولتاژ معکوس تکراری	VRRM		T_vj=25°C	1200	V
جریان مستقیم ثابت	من_F			300	A
جریان پالس دیود،tp محدود به T_Jmax	IFpulse			600	A

ویژگی ارزش ها

ماده	نماد	شرایط		ارزش ها			واحد
				دقیقه ای	-آره.	مکس
ولتاژ جلو	V_F	من_F=300A، V_{ژنراتورهای عمومی}=0V	T_vj=25°C		2.30	2.70	V
			T_vj=125°C		2.50
			T_vj=150°C		2.50
زمان بازیابی معکوس	trr	من_F=300A د._F/dt=-4900A/μs (T_vj=150°C) V_R=600 ولت V_{ژنراتورهای عمومی}=-15 ولت	T_vj=25°C		90		ns
			T_vj=125°C		120
			T_vj=150°C		126
حداکثر جریان بازپرداخت معکوس	IRRM		T_vj=25°C		212		A
			T_vj=125°C		245
			T_vj=150°C		250
هزینه بازپس گیری معکوس	QRR		T_vj=25°C		19		μC
			T_vj=125°C		27
			T_vj=150°C		35
از دست دادن انرژی بازیافت معکوس در هر پالس	اِرک		T_vj=25°C		7.7		mJ
			T_vj=125°C		13.3
			T_vj=150°C		14.0
مقاومت حرارتی دیود، قاب اتصال	RthJCD					0.23	K / W
دمای کار	TJop			-40		150	°C

تولید ویژگی (تایپیک) خروجی مشخصه ((معمولي)

من_C= f (V_CE) I_C= f (V_CE)

T_vj= 150°C

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025 5

IGBT

انتقال ویژگی ((معمول) تغییر خسارت IGBT(معمول)

من_C= f (V_{ژنراتورهای عمومی}) E = f (R_G)

V_CE= 20VV_{ژنراتورهای عمومی}= ±15 ولت، I_C= 300A، V_CE= 600 ولت

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025 6

IGBT RBSOA

تغییر خسارت IGBT(معمولاً) عقب تعصب امن کار کردن منطقه ((RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V_CE)

V_{ژنراتورهای عمومی}= ±15 ولت، R_G= 1.8Ω، V_CE= 600V V_{ژنراتورهای عمومی}= ±15 ولت، R_گاف= 1.8Ω، T_vj= 150°C

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025 7

نمادین ظرفیت به عنوان a عملکرد از جمع کننده-برنده ولتاژ شارژ دروازه (معمولی)

C = f (V_CE) V_{ژنراتورهای عمومی}= f (Q_G)

f = 100 kHz، V_{ژنراتورهای عمومی}= 0V I_C= 300A، V_CE= 600 ولت

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025 8

IGBT

IGBT گذرا حرارتی مقاومت به عنوان a عملکرد ضربان قلب عرض جلو ویژگی از دیود (معمولا)

Zth ((j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025 9

ضایعات تغییر دیود (معمول) تغییرضایعات دیود (معمول)

E_{بازبینی}= f (R_G) E_{بازبینی}= f (I_F)

من_F= 300A، V_CE= 600 ولت R_G= 1.8Ω، V_CE= 600 ولت

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025 11

دیود گذرا حرارتی مقاومت به عنوان a عملکرد از ضربان قلب عرض

Zth ((j-c) = f (t)

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025 13

یک ماژول نیمه پل IGBT یک دستگاه الکترونیکی قدرت است که دو ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT) را در یک پیکربندی نیمه پل ترتیب می دهد.این پیکربندی به طور معمول در کاربردهای مختلف که در آن کنترل دو طرفه قدرت مورد نیاز است استفاده می شوددر اینجا برخی از نکات کلیدی در مورد ماژول های نیمه پل IGBT وجود دارد:

1IGBTs: IGBTs دستگاه های نیمه هادی هستند که ویژگی های ترانزیستورهای اثر میدان گیت عایق شده (IGFETs) و ترانزیستورهای اتصال دو قطبی (BJTs) را ترکیب می کنند.آنها به طور گسترده ای در الکترونیک قدرت برای تغییر و کنترل قدرت الکتریکی استفاده می شود.

2پیکربندی نیمه پل: پیکربندی نیمه پل شامل دو IGBT متصل به صورت سری است که یک مدار پل را تشکیل می دهد.یک IGBT مسئول هدایت در طول نیمه چرخه مثبت شکل موج ورودی است، در حالی که دیگری در طول نیمه چرخه منفی هدایت می شود. این ترتیب کنترل دو طرفه جریان را امکان پذیر می کند.

3ولتاژ و نرخ های جریان: ماژول های نیمه پل IGBT با ولتاژ و نرخ های جریان مشخص می شوند. به عنوان مثال، یک امتیاز رایج ممکن است 1200V / 300A باشد،نشان دهنده حداکثر ولتاژ و جریان است که ماژول می تواند تحمل کند.

4برنامه های کاربردی: ماژول های نیمه پل IGBT در محرک های موتور، اینورترها، منابع برق و سایر سیستم هایی که نیاز به تغییر قدرت کنترل شده دارند، کاربرد دارند.آنها برای کاربردهایی که نیاز به کنترل سرعت متغیر یا معکوس قدرت دارند مناسب هستند..

5. خنک سازی و مدیریت حرارتی: مانند IGBT های جداگانه، ماژول های نیمه پل IGBT در طول کار گرما تولید می کنند. روش های خنک کننده مناسب، مانند بخاری ها یا سایر سیستم های مدیریت حرارتی،برای حفظ عملکرد و قابلیت اطمینان مناسب دستگاه بسیار مهم است..

6. مدار درایو دروازه: مدار درایو دروازه مناسب برای کنترل موثر سوئیچ IGBT ها ضروری است.این شامل اطمینان از اینکه سیگنال های دروازه به طور مناسب زمان بندی شده و دارای سطوح ولتاژ کافی هستند.

7ورق اطلاعات: کاربران باید برای مشخصات دقیق، ویژگی های الکتریکی،و دستورالعمل های کاربردی خاص برای ماژول نیمه پل IGBT که آنها استفاده می کنند.

IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.

مدار نمودار عنوان

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025 14

بسته بندی طرح ها

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025 15

ابعاد (ملی متر)

Tags:

ماژول های IGBT 34mm

ماژول های IGBT 62mm

ماژول های IGBT EconoDual3

ماژول های IGBT EasyPIM

ماژول های IGBT EconoPack

ماژول های IGBT EconoPIM

ماژول های خودرو

سی سی دیسکریت های هیبریدی

MOSFET متمایز

IGBT Discrete

ماژول برق OEM IGBT 1200V 300A ماژول نیمه پل DS-SPS300B12G6M4-S04020025

ماژول قدرت IGBT OEM,ماژول قدرت IGBT 1200V,ماژول نیمه پل 1200 ولت

IGBT Power Module 1200V

1200V Half Bridge Module

حداکثر رتبه بندی شده ارزش ها

حداکثر رتبه بندی شده ارزش ها

ماژول قدرت IGBT,H پل ماژول IGBT,ماژول IGBT با قدرت بالا,

ماژول قدرت IGBT OEM,ماژول قدرت IGBT 1200V,ماژول نیمه پل 1200 ولت,

High Power IGBT Module

200A 1200V IGBT نیمه پل ماژول 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

ماژول های IGBT سفارشی 62mm از دست دادن کم سوئیچ DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

1200V 150A H پل ماژول IGBT DS-SPS150B12G6H4-S04020033 برای دستگاه جوش

ماژول برق سیک MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

ماژول های IGBT سفید ۶۲ میلی متری قطعات الکترونیکی DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H پل ماژول Mosfet 1200V 450A ODM

ماژول های IGBT با قدرت بالا 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010

ماژول های IGBT 1200V 300A 62mm DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0