Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
محصولات
محصولات
خونه > محصولات > ماژول های IGBT 62mm > 1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004

جزئیات محصول

شماره مدل: SPS300MB12G6S

شرایط پرداخت و حمل و نقل

بهترین قیمت رو بدست بیار
برجسته کردن:

ماژول نیمه پل SiC MOSFET,ماژول نیمه پل نیمه هادی,ماژول MOSFET 1200V 300A Sic

,

Semiconductor Half Bridge Module

,

1200V 300A Sic MOSFET Module

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004

قدرت جامد-DS-SPS300MB12G6S-S04310004

 

۱۲۰۰ ولت 300A SiC MOSFET نصف پل ماژول

 

 1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 0

 

ویژگی ها:

  • کاربرد سوئیچینگ فرکانس بالا
  • صفر جریان بازیافت معکوس از دیود
  • جریان دم صفر خاموش از MOSFET
  • از دست دادن بسیار کم
  • سهولت تطبیق

نمادین درخواست ها:

  • گرمایش با اندوکشن
  • inverters خورشیدی و بادی
  • کنورترهای DC/DC
  • شارژر باتری

 

MOSFET

 

حداکثر ارزش های نامبرده/ حداکثر محدوده

 

ماده

 

نماد

 

شرایط

 

ارزش

 

واحدها

 

漏极-源极 فشار برق

ولتاژ منبع تخلیه

 

VDSS

 

Tvj=25°C

 

1200

 

V

 

جریان مستقیم برق

ادامه بدهs دی سی جریان تخلیه

 

منD

 

VGS=20V، TC=25°C، Tvjmax=175°C

VGS=20V، TC=85°C، Tvjmax=175°C

 

400

 

300

 

 

A

 

脉冲漏极 برق جریان

تخلیه پالس جریان

 

منD ضربان قلب

 

عرض پالس tpمحدود توسطTvjmax

 

1200

 

A

 

کل مصرف برق

کل قدرت از بین می رود..

 

Pتو

 

TC=25°CTvjmax=175°C

 

1153

 

W

 

فشار برق اوج

حداکثر دروازهولتاژ منبع

 

VGSS

 

 

-10/25

 

V

 

شخصیتمقادیر/ ویژگی ارزش

 

ماده

 

نماد

 

شرایط

 

دقیقه ای -آره. مکس

 

واحدها

 

漏极-源极通态电阻

منبع تخلیه روی مقاومت

 

 

RDS( در)

 

منD=300A،VGS=20 ولت

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

4.0

5.4 6.0

 

5.6

 

 

极 值电压

آستانه دروازهولتاژ

 

 

VGS ((th)

 

منC=90mA، VCE=Vژنراتورهای عمومی، Tvj=25°C

منC=90mA، VCE=Vژنراتورهای عمومی، Tvj=150°C

 

1.9

 

2.4

1.6

 

4.0

 

V

 

跨导

 

ترانسکندکتانس

 

gfs

 

VDS = 20 منDS = 300 الف، Tvj=25°C

VDS = 20 منDS = 300 A، Tvj=150°C

 

211

 

186

 

S

 

极电荷

دروازه هزینه

 

قG

 

Vژنراتورهای عمومی=-5 ولت +20 ولت

 

 

1170

 

 

nC

 

内部 极电阻

دروازه داخلی مقاومت

 

Rگينت

 

Tvj=25°C

 

2.0

 

 

Ω

 

ظرفیت برق ورودی

سقف ورودیآسیتانس

 

Cل

 

f=1MHz،Tvj=25°C،VDS=1000V، VAC=25mV، Vژنراتورهای عمومی=0V

 

 

25.2

 

nF

 

ظرفیت برق خروجی

تولید ظرفیت

 

 

Cاست

 

f=1MHz،Tvj=25°C،VDS=1000V، VAC=25mV، Vژنراتورهای عمومی=0V

 

 

1500

 

pF

 

ظرفیت انتقال الکتریکی برعکس

حرکت عقبظرفیت sf

 

 

Cres

 

f=1MHz،Tvj=25°C،VDS=1000V، VAC=25mV، Vژنراتورهای عمومی=0V

 

 

96

 

pF

 

零 电压漏极电流

دروازه صفر vسن بالا تخلیه جریان

 

منDSS

 

VDS=1200V، VGS=0V، Tvj=25°C

 

300

 

μA

 

-源极漏电流

منبع دروازه لجریان آکاژ

 

منGSS

 

VDS=0V، VGS=20V، Tvj=25°C

 

100

 

nA

 

开通延迟时间( الکتروموتور)

روشن کردن زمان تاخیر محرک بار

 

 

td( در)

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

76

66

 

66

 

ns

ns

ns

 

بالا رفتن زمان( الکتروموتور)

وقت بلند شدنه محرک بار

 

tr

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

62

56

 

56

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间( الکتروموتور)

دور زدنزمان پخش، محرک بار

 

 

td(خاموش)

 

منD=300A، VDS=600 ولت

VGS=-5/20 ولت

Rگون=2.5Ω

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

308

342

 

342

 

ns

ns

ns

 

下降时间( الکتروموتور)

زمان پاییز محرک بار

 

tf

 

Rگاف=2.5Ω

= 56 nH

 

محرک لوآد،

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

94

92

 

92

 

ns

ns

ns

 

开通 损耗能量(هر ضربه)

روشن کردن انرژی از دست دادن در هر پ. آره

 

 

Eدر

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

5.55

4.35

4.35

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量(هر ضربه)

انرژی خاموش کردن از دست دادن در هر ضربان قلب

 

Eخاموش

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

12.10

12.35

12.35

 

mJ

mJ

 

 

结-外 热阻

گرمایی مقاومتبه مورد

 

RthJC

 

در هر موسفت / هرکدوم MOSFET

 

0.12

 

K/W

 

درجه حرارت کار

درجه حرارت ومبادله شرایط

 

 

Tvjop

 

 

-40150

 

°C

 

 

دیود/二极管

 

حداکثر ارزش های نامبرده/ حداکثر定值

 

ماده

 

نماد

 

شرایط

 

ارزش

 

واحدها

 

جریان برق مستقيم

دیود مستمر برایبخش جریان

 

 

منF

 

VGS = -5 ولت TC = 25 ̊C

 

400

 

A

 

شخصیتمقادیر/ ویژگی ارزش

 

ماده

 

نماد

 

شرایط

 

دقیقه ای -آره. مکس

 

واحدها

 

فشار الکتریکی مستقیم

ولتاژ جلو

 

 

VSD

 

 

منF=300A، VGS=0V

 

Tvj=25°C Tvj=150°C

 

1.60

2.00

 

 

1.80

 

V

V

 

结-外 热阻

گرمایی مقاومتبه مورد

 

RthJC

 

در هر دیود/ هر دو لوله

 

0.13

 

K/W

 

درجه حرارت کار

درجه حرارت ومبادله شرایط

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

ماژول/

 

ماده

 

نماد

 

شرایط

 

ارزش

 

واحدها

 

绝缘试电压

انزواولتاژ آزمون

 

VISOL

 

RMS، f=50Hz، t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

مواد ماژول صفحه پایه

   

 

 

ک

 

 

داخلی جدا

داخلی انزوا

 

 

基本绝缘(طبقه 1, مناتحادیه اروپا 61140)

پایه عایق بندی (طبقه 1, IEC 61140)

 

ال2اوه3

 

 

爬电距离

ترسناک استتنس

 

 

端子-散热片/ ترمینال to بخارگر

端子-端子ترمینال به ترماینال

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

مجوز

 

 

端子-散热片/ ترمینال to بخارگر

端子-端子ترمینال به ترماینال

 

23.0

11.0

 

mm

 

شاخص برق

ردیابی مقایسه ای شاخص

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

ماده

 

نماد

 

شرایط

 

دقیقه ای

 

-آره.

 

مکس

 

واحدها

 

杂散电感،模块

گمشده استحکام ماژول

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

مقاومت الکتریکی سیم های مدول,端子-چیپ

ماژول سرب مقاومت، ترمینال - تراشه

 

RCC+EE

 

TC=25°C

 

 

0.465

 

 

 

ذخيره حرارت

 

زمان نگهداریمبلغ

 

Tstg

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭矩

تور نصببرای ماژول نصب

 

M5

 

 

2.50

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子 连接 تورمنت

اتصال ترمینالn تورک

 

M6

 

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

وزن

 

وزن

 

G

   

 

300

 

 

g

 

 

 

MOSFET MOSFET

ویژگی خروجی MOSFET (معمول) ویژگی خروجی MOSFET (معمول)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

Tvj=25°C Tvj=150°C

 

 

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 1

 

منبع تخلیه عادی شده بر روی مقاومت (معمول) منبع تخلیه عادی شده بر روی مقاومت (معمول)

تحقیق و توسعهپسرم(P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS)

منDS=120A VGS=20VVGS=20 ولت

 

  

  

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 2

 

 

منبع تخلیه بر روی مقاومت (معمول) ولتاژ آستانه (معمول)

تحقیق و توسعهپسرم=f(Tvj) VDS ((th)=f(Tvj)

منDS=120A VDS=VGS، منDS=30mA

 

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 3

 

 

MOSFET

ویژگی انتقال MOSFET (معمول) ویژگی جلو دیود (معمول)

منDS=f(VGS)منDS=f(VDS)

VDS=20V Tvj=25°C

 

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 4

 

 

 

ویژگی جلو دیود (معمولی) ویژگی 3rdبخش (معمولی)

منDS=f(VDS) IDS=f(VDS)

Tvj=150°C Tvj=25°C

 

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 5

 

 

MOSFET

ویژگی 3rdویژگی شارژ دروازه MOSFET (معمولی)

منDS=f(VDS) VGS=f ((QG)

Tvj=150°C VDS=800V، IDS=120A، Tvj=25°C

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 6

 

 

MOSFET MOSFET

ویژگی ظرفیت MOSFET ((معمول) از دست دادن تغییر MOSFET (معمول)

C=f(VDS) E=f(IC)

VGS=0V، Tvj=25°C، f=1MHz Vژنراتورهای عمومی=-5/20 ولت، RG=2.5 Ω، VCE=600 ولت

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 7

 

 

 

MOSFET MOSFET

از دست دادن سوئیچ MOSFET (معمولی) مانع حرارتی گذرا MOSFET

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=-5/20V، IC=120A، VCE=600V

 

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 8

 

 

دیود مقاومت حرارتی گذرا

ZthJC=f (t)

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 9

 

ماژول نیمه پل "1200V 300A SiC MOSFET" دو ترانزیستور اثر میدان سیلیکون کاربید فلز اکسید نیمه هادی (SiC MOSFETs) را در یک پیکربندی نیمه پل ادغام می کند.طراحی شده برای کاربردهای قدرتمند، کنترل دقیق ولتاژ (1200V) و جریان (300A) را فراهم می کند، با مزایایی مانند بهبود بهره وری و عملکرد در محیط های صنعتی.خنک سازی موثر برای عملکرد قابل اعتماد ضروری است، و مشخصات دقیق را می توان در صفحه اطلاعات سازنده یافت.

 

 

مدار نمودار عنوان 

 

 

 

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 10

 

 

 

بسته بندی طرح ها 

 

 

 

1200V 300A SiC MOSFET نیمه پل ماژول نیمه هادی DS-SPS300MB12G6S-S04310004 11

mm